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起止时间:2021-03-08到2021-07-01
更新状态:每5天更新一次
0 绪 论 绪论测验题
1、 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kW的负载电阻后，输出电压为3V。说明放大电路的输出电阻为 。
A:10 kW
B:2 kW
C:1kW
D:0.5kW
答案: 1kW
2、 已知某信号源内阻为1kW，未接放大电路时测得信号源电压为10mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mV，说明放大电路的输入电阻为 。
A:5 kW
B:4 kW
C:2kW
D:1kW
答案: 4 kW
3、 在输出为电流信号的放大电路模型中， Ro应尽量（ ），带负载能力（ ）。
A:大，强
B:大，弱
C:小，强
D:小，弱
答案: 大，强
4、 对应于由传感器检测变换电路转换而来的信号源而言，放大电路可看作（ ）。
A:负载
B:等效电阻
C:输入电阻
D:负载或等效电阻或输入电阻
答案: 负载或等效电阻或输入电阻
5、 对于输出为电压信号的电路，放大电路模型中输出电阻与负载（ ），若要求Ro尽量小，带负载能力（ ）。
A:串联，强
B:并联，强
C: 串联，弱
D:并联，弱
答案: 串联，强
6、 对应于外部负载而言，放大电路可看作（ ），考虑到自身的损耗，通常表示应采用实际电压源或电流源形式来表示。如此端口等效源于电路分析中的（ ）定理。
A:信号源，戴维南定理
B:输出电阻，诺顿定理
C:信号源，戴维南定理或诺顿定理
D:输入电阻，替代定理
答案: 信号源，戴维南定理或诺顿定理
7、 互阻放大电路适用于信号源内阻RS（ ）和负载RL（ ）的场合。
A:较大，较大
B:较大，较小
C:较小，较大
D:较小，较小
答案: 较大，较大
8、 （ ）的大小决定了放大电路从信号源吸取信号电压或电流的大小。（ ）的大小决定了放大器带负载的能力。
A:输入电阻，输出电阻
B:输入电阻，输入电阻
C:输出电阻，输入电阻
D:输出电阻，输出电阻
答案: 输入电阻，输出电阻
9、 同一个放大电路对不同信号源或带不同负载时，实际的放大能力常常是不同的。
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：由于放大电路的输入电阻通常不是无穷大或零，输出电阻也不会是零或无穷大，所以对于不同的非理想信号源和不同的负载，放大电路的实际增益会有不同。也就是说，在实际信号放大过程中，放大电路的实际增益与输入电阻和输出电阻有关。
10、 放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。
A:正确
B:错误
答案: 正确
第1章 二极管及其基本电路 二极管及其基本电路测验题
1、 半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。
A:自由电子
B:共价键中价电子
C:正离子
D:负离子
答案: 共价键中价电子
2、 N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 。
A:自由电子，空穴
B:空穴，自由电子
C:自由电子，正离子
D:空穴，负离子
E:空穴，正离子
F:自由电子，负离子
答案: 自由电子，空穴
3、 PN结内电场方向是由 。
A:N区指向P区
B:P区指向N区
C:不确定
D:与外加电压有关
答案: N区指向P区
4、 PN结正偏是指 。
A:N区电位高于P区
B:P区电位高于N区
C:P区和N区电位相等
D:与外加电压无关
答案: P区电位高于N区
5、 二极管正偏时应重点关注 ，反偏时应重点关注 。
A:导通电流和耗散功率，最大反向电压
B:最高工作频率，最大反向电压
C:最高工作频率，导通电流和耗散功率
D:结电容，最高工作频率
E:最大反向电压，结电容
答案: 导通电流和耗散功率，最大反向电压
6、 齐纳二极管正常稳压时，工作在 状态。
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:放大
答案: 反向击穿
7、 点亮发光二极管应加 ，光电二极管正常工作时应加 。
A:正偏电压，反偏电压
B:反偏电压，反偏电压
C:反偏电压，正偏电压
D:正偏电压，正偏电压
答案: 正偏电压，反偏电压
8、 已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd = 。
A:19.2 kΩ
B:1 kΩ
C:52 kΩ
D:52 Ω
答案: 52 Ω
9、 设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
A:10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B:10mA，1mA；9.3mA，3mA
C:1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
D:10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
答案: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
10、 12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为 ，二极管两端的最大反向电压为 。
A:240mA，24V
B:120mA，12V
C:120mA，36V
D:360mA，36V
答案: 120mA，36V
11、 电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是 。
A:
B:
C:
D:
答案:
12、 二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是 。
A:vO的a列
B:vO的b列
C:vO的c列
D:vO的d列
答案: vO的b列
13、 电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为 ，vO的静态电压 ；动态时，vO的交流电压振幅为 。
A:2mA，2V；0.05V
B:1.3mA，1.3V；0.05V
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