电子技术(运城学院)1450845448中国大学mooc慕课答案2024版100分完整版

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起止时间:2020-02-20到2020-06-30
更新状态:已完结

第1章  半导体二极管及其基本应用(第1周,4课时) 第1章单元测验

1、 半导体本征激发会成对产生       。

A:自由电子
B:空穴
C:自由电子和空穴
D:杂质离子
答案: 自由电子和空穴

2、 PN结外加正向电压时,扩散电流 。

A:增加
B:减小
C:不变
D:为0
答案: 增加

3、 PN结外加正向电压时,耗尽层 。

A:增厚
B:变薄
C:厚度不变
D:厚度为0
答案: 变薄

4、 在室温27度时,硅二极管的死区电压大约为 V。

A:0.3
B:0.2
C:0.5
D:0.7
答案: 0.5

5、 在室温27度时,锗二极管的死区电压大约为 V。

A:0.1
B:0.2
C:0.3
D:0.5
答案: 0.1

6、 二极管反向饱和电流随着温度的升高而 。

A:增加
B:减小
C:不变
D:趋于0
答案: 增加

7、 发光二极管正常工作时需要施加 偏置电压。

A:正向
B:反向
C:正向或反向
D:0
答案: 正向

8、 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。

A:温度
B:掺杂浓度
C:光照
D:外加电压
答案: 掺杂浓度

9、 半导体器件对        敏感,这会导致器件性能的不稳定。

A:温度
B:光照
C:温度和光照
D:掺杂浓度
答案: 温度和光照

10、 半导体二极管的重要特性之一是 。

A:单向导电性
B:滤波特性
C:放大作用
D:温度稳定性
答案: 单向导电性

11、 硅管的反向电流比锗管的反向电流        ,因此硅管的单向导电性和温度稳定性      。

A:大得多;较差
B:小得多;较好
C:大得多;较好
D:小得多;较差
答案: 小得多;较好

12、 如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接,则该管 。

A:电流为0
B:电击穿
C:电流过大使管子烧坏
D:正常导通
答案: 电流过大使管子烧坏

13、 锗二极管的开启电压为 。

A:0.5V左右
B:0.4V左右
C:0.2V左右
D:0.1V左右
答案: 0.2V左右

14、 当未加外部电压时, PN结中的电流 。

A:为0
B:从P区流向N区
C:从N区流向P区
D:为最小
答案: 为0

15、 PN结形成后,空间电荷区由 组成。

A:电子
B:空穴
C:杂质离子
D:价电子
答案: 杂质离子

16、 变容二极管在电路中的主要作用是 。

A:发光
B:可变电容器
C:整流
D:稳压
答案: 可变电容器

17、 流过二极管的正向电流增大时,其直流电阻将 。

A:增加
B:减小
C:为0
D:不变
答案: 减小

18、 在下列二极管中,需要正偏工作的是 。

A:发光二极管
B:光电二极管
C:稳压二极管
D:变容二极管
答案: 发光二极管

19、 二极管整流电路的作用,是将正弦电压变成 。

A:余弦电压
B:单向脉动电压
C:双向脉动电压
D:直流电压
答案: 单向脉动电压

20、 半导体二极管正向偏置,处在正常工作状态,即使流过管子的电流变化很大, 管子两端的电压变化也很小。

A:正确
B:错误
答案: 正确

21、 光电二极管正常工作时需要施加反向偏置电压。

A:正确
B:错误
答案: 正确

22、 在P型半导体中掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。

A:正确
B:错误
答案: 正确

23、 杂质半导体中,存在自由电子和空穴两种带电粒子。

A:正确
B:错误
答案: 错误

24、 杂质离子不能移动,因此不是载流子。

A:正确
B:错误
答案: 正确

       

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