数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分

铺芬怠燎榔咖森清墙角攀榷变

对应课程:点击查看
起止时间:2020-03-02到2020-07-31
更新状态:已完结

第1章 数字逻辑系统 第1章测验

1、 余3码是 码,减3后是 码,然后加上后六种状态是 码。

A:余3,8421,5421BCD
B:8421, 有权,无权
C:循环,2421BCD,有权
D:无权,8421BCD,8421
答案: 无权,8421BCD,8421

2、 对于题图1.2所示的波形, A、B为输入,F为输出,其反映的逻辑关系是数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第1张

A:与非关系
B:异或关系
C:同或关系
D:或关系
E:无法判断
答案: 异或关系;
无法判断

3、 数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第2张

A: 0,0,0
B:1,1,0
C:不唯一,0,1
D:如此运算逻辑概念错误,1,1
答案: 1,1,0

4、 已知逻辑函数F=A(B+DC),选出下列可以肯定使F=1的状态是 。

A:A=0,BC=0,D=0
B:A=0,BD=0,C=0
C:AB=1,C=0,D=0
D:AC=1,B=0
答案: AB=1,C=0,D=0

5、 某一逻辑函数真值确定后,下面描述该函数功能的方法中,具有唯一性的是 。

A:逻辑函数的最简与或式
B:逻辑函数的最小项之和表达式
C:逻辑函数的最简或与式
D:逻辑函数的最大项之和表达式
答案: 逻辑函数的最小项之和表达式

6、 卡诺图中的逻辑相邻或对称相邻具有 码特征,其数值不同只是在位上差 位。

A:余3码, 2
B:8421码, 3
C:循环码, 2
D:格雷码, 1
答案: 格雷码, 1

7、 数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第3张

A:同或
B:与
C:或
D:异或
答案: 同或

8、 信号A和0异或相当于 门,信号A和1异或相当于 门。(作答请以顿号“、”间隔)

A:与门、或门
B:缓冲门、非门
C:或门、非门
D:缓冲门、与门
答案: 缓冲门、非门

9、 数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第4张

A:×、m、×、×、×、M
B:×、×、m、×、×、M
C:×、M、m、×、×、×
D:×、m、×、×、M、×
答案: ×、m、×、×、M、×

10、 在题图1.7所示的卡诺图中,化简后的逻辑函数是数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第5张

A:数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第6张
B:数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第7张
C:数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第8张
D:数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第9张
答案: 数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第7张;
数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第8张

11、 最小项ABCD的逻辑相邻项是 。

A:数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第12张
B:数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第13张
C:数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第14张
D:数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第15张
答案: 数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第12张;
数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第13张;
数字电子技术(北京联合大学)1452738474 中国大学慕课答案2024完整版100分第14张

12、 任意项和约束项有微小的区别,区别在于任意项值随便,约束项值不允许。约束项和任意项统称为 。(作答请以顿号“、”间隔)
答案: 无关项

第2章 逻辑门电路 第2章测验

1、 如果将TTL与非门做非门使用,则多余输入端的处理方法为:

A: 全部接高电平
B:部分接高电平、部分接地
C: 全部接低地
D:部分接地、部分悬空
答案: 全部接高电平

2、 TTL电路时间延迟的主要原因是由载流子的聚集和消散引起的,CMOS反相器产生传输延迟的主要原因是由于集成电路 。

A:反相器
B:内部电阻和容性负载
C:电阻
D:电源
答案: 内部电阻和容性负载

3、 CMOS非门是由一个NMOS和一个PMOS组成,其栅极相连作为输入,漏极相连作为输出,NMOS源极需接 电平,PMOS源极接 电平。

A:高、低
B:高、高
C:低、高
D:低、低
答案: 低、高

4、 双极型TTL两种载流子工作的电流控制器件在抗幅射能力方面比单极型CMOS一种载流子工作的电压控制器件 。因为射线辐射对 浓度影响不大。

A:弱、多子
B:强、少子
C:弱、少子
D:强、多子
答案: 弱、多子

5、 双极型CMOS电路实现逻辑功能采用 器件,驱动输出级采用 射极跟随输出电路。

A:NMOS;TTL
B:CMOS;混合
C:CMOS;TTL
D:TTL;混合
答案: CMOS;TTL

6、 门是一种输出端允许相互连接的特殊TTL门,将多个这种门的输出端连接在一起,其总的输出为各个门输出的逻辑与,这样实现的逻辑与称为 。

A:三态;线与
B:OC;线与
C:OC;与门
D:三态;与门
答案: OC;线与

7、 TTL电路驱动CMOS电路,仅考虑 。

A:电压匹配
B:电流匹配
C:功率匹配
D:频率匹配
答案: 电压匹配

8、 由NMOS增强型管制成的有源负载。

A:栅极和电源连接在一起;
B:是两端元件;
C:栅极和源极连接在一起;
D:是三端元件。
答案: 栅极和电源连接在一起;;
是两端元件;

9、 典型TTL非门中的T1什么时候处于倒置状态?

A:输入接高电平;
B:输入接低电平;
C:前级输出高电平。
D:前级输出低电平。
答案: 输入接高电平;;
前级输出高电平。

10、 ( )有高阻输出状态。

A:OC门
B:三态门
C:CMOS传输门
D:TTL与非门
答案: 三态门;
CMOS传输门

11、 CMOS逻辑门有静态功耗和动态功耗能之分

A:动态功耗是输入信号和输出信号以一定频率切换时的功耗。
B:动态功耗是输出高电平的时候;
C:动态功耗是输出低电平的时候;
D:静态功耗是输出电平不变的时候。
答案: 动态功耗是输入信号和输出信号以一定频率切换时的功耗。;
静态功耗是输出电平不变的时候。

12、 CMOS的基本单元是CMOS反相器和CMOS传输门。

A:正确
B:错误
答案: 正确

第3章 组合逻辑电路 第3章测验

       


如需购买完整答案,请点击下方红字:

点击这里,购买完整答案


获取更多中国大学慕课答案,请点击这里,进入mooc.mengmianren.com


 

翅考糖寄呕劣贾钡闻脱烘雀嘘