《电工电子学》潘丽萍-2（作废）(浙江大学) 中国大学慕课答案2024完整版100分

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起止时间:2021-03-01到2021-03-05
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第一章 电路和电路元件 第一章测试题

1、 电容具有（ ）特性。

A:通低频阻高频
B:隔直流阻交流
C:通直流阻交流
D:隔直流通交流
答案: 隔直流通交流

2、 当电路中电流的参考方向与电流的实际方向相反时，该电流（ ）。

A:一定为正值
B:一定为负值
C:不能肯定是正值或负值
D:有时为正值，有时为负值
答案: 一定为负值

3、 有一个2V电压源，内阻为0.1Ω，当外电路断路时，电路中的电流和端电压分别为（ ）。

A:0A，2V
B:20A，0V
C:2A，0V
D:0A，0V
答案: 0A，2V

4、 当元件两端电压与通过元件的电流取关联参考方向时，且通过计算其电压、电流都为正，则该元件（ ）功率。

A:吸收
B:发出
C:不能确定
D:有时吸收，有时发出
答案: 吸收

5、 已知3个串联电阻的功率分别为PR1=12W，PR2=16W，PR3=24W，电阻R1=3Ω，则电阻R2和R3的阻值分别为（ ） A.R2=8Ω，R3=12Ω B. R2=6Ω，R3=4ΩC. R2=4Ω，R3=6Ω D. R2=2.25Ω，R3=1.5Ω

A:R2=8Ω，R3=12Ω
B:R2=6Ω，R3=4Ω
C:R2=4Ω，R3=6Ω
D:R2=2.25Ω，R3=1.5Ω
答案: R2=4Ω，R3=6Ω

6、 电源置零，下列描述中正确的是（ ）。

A:电压源开路，电流源短路
B:电压源短路，电流源开路
C:电压源短路，电流源短路
D:电压源开路，电流源开路
答案: 电压源短路，电流源开路

7、 关于n个并联电阻的特征描述，下列哪个叙述是正确的（ ）。

A:并联的电阻越多，等效电阻就越大。
B:并联电阻值越大，所分得的电流越大。
C:在理想电流源供电的情况下，当n个并联电阻中有一个电阻阻值为零时，电流源的两端电压为零。
D:在理想电压源供电的情况下，并联电阻值越小，所吸收的功率就越小。
答案: 在理想电流源供电的情况下，当n个并联电阻中有一个电阻阻值为零时，电流源的两端电压为零。

8、 在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别是6V，1.2V，1V，则该管为（ ）。

A:NPN硅管
B:PNP锗管
C:NPN锗管
D:PNP硅管
答案: NPN锗管

9、 对某电路中的一个NPN硅管进行测试，测得UBE>0，UBC>0，UCE>0，则此管工作在（ ）。

A:放大区
B:饱和区
C:截止区
D:放大饱和区
答案: 饱和区

10、 在晶体管放大电路中，若测得某晶体管的三个极的电位分别为9V，2.5V，3.2V，则这三个极分别为（ ）。

A:C,B,E
B:C,E,B
C:E,C,B
D:E,B,C
答案: C,E,B

11、 在放大电路中，若测得晶体管的三个极的电位分别为-9V，-6.2V，-6V，则-6.2V的那个极为（ ）。

A:集电极
B:基极
C:发射极
D:以上都不是
答案: 基极

12、 晶体管工作在饱和状态时，（ ）。

A:发射结正偏，集电结反偏
B: 发射结正偏，集电结正偏
C:发射结反偏，集电结正偏
D: 发射结反偏，集电结反偏
答案: 发射结正偏，集电结正偏

13、 双极型晶体管的控制方式是（ ）。

A:输入电流控制输出电流
B:输入电压控制输出电压
C:输入电流控制输出电压
D:输入电压控制输出电流
答案: 输入电流控制输出电流

14、 绝缘栅场效管的控制方式是（ ）。

A:输入电流控制输出电流
B:输入电压控制输出电压
C:输入电流控制输出电压
D:输入电压控制输出电流
答案: 输入电压控制输出电流

15、 某场效晶体管当UDS>0、UGS<0时可导通，则此场效晶体管为（ ）。

A:NMOS增强型管
B:NMOS耗尽型管
C:PMOS增强型管
D:PMOS耗尽型管
答案: NMOS耗尽型管

16、 已知一个Us=20V的理想电压源与一个R=4Ω的电阻相并联，则这个并联电路的等效电路可用（ ）表示。

A:Us=20V的理想电压源
B:Is=5A的理想电流源
C:Is=80A的理想电流源与R=4Ω的电阻相串联的电路
D:Is=5A的理想电流源与R=4Ω的电阻相串联的电路
答案: Us=20V的理想电压源

17、 已知某一支路由一个Us=10V的理想电压源与一个R=2Ω的电阻串联，则这个串联电路对外电路来讲，可用（ ）来进行等效。

A:Us=10V的理想电压源
B:Is=5A的理想电流源与R=2Ω的电阻相并联的电路
C:Is=5A的理想电流源
D:Is=20A的理想电流源与R=2Ω的电阻相并联的电路
答案: Is=5A的理想电流源与R=2Ω的电阻相并联的电路

18、 稳压管的稳压工作是利用伏安特性中的（ ）。

A:正向特性
B:反向特性
C:反向击穿特性
D:截止特性
答案: 反向击穿特性

19、 理想二极管V构成的电路如下图所示，则( )。

A:V截止，Uo=-4V
B:V导通，Uo=+4V
C:V截止，Uo=+8V
D:V导通，Uo=+12V
答案: V导通，Uo=+12V

20、 一个10W,250Ω的金属膜电阻，能够接在50V电源上使用。

A:正确
B:错误
答案: 正确

21、 电路中两点间的电位差随电位参考点的不同而不同。

A:正确
B:错误
答案: 错误

22、 实际电流源外接负载，当负载开路时，该电流源内部有电流有功率损耗。

A:正确
B:错误
答案: 正确

23、 PNP管发射结和集电结均正向偏置，则该管处于放大状态。

A:正确
B:错误
答案: 错误

24、 稳压二极管的动态电阻越大，稳压效果越好。

A:正确
B:错误
答案: 错误