微电子器件(电子科技大学中山学院)中国大学mooc慕课答案2024版100分完整版

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起止时间:2020-03-06到2020-07-30
更新状态:已完结

第五周 PN结的势垒电容、PN结的扩散电容、PN结的开关特性 单元测验半导体器件基本方程及PN结的基本知识

1、 PN结中冶金结的含义是( )。

A:空间电荷区
B:界面
C:耗尽层
D:势垒层
答案: 界面

2、 反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（ ）过程。

A:漂移和扩散
B:扩散和复合
C:产生和扩散
D:产生和漂移
答案: 产生和扩散

3、 理想PN结的电流是（ ）。

A:多子漂移电流
B:复合-产生电流
C:少子扩散电流
D:多子扩散电流
答案: 少子扩散电流

4、 对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（ ）的非平衡载流子电荷。

A:P型中性区
B:N型中性区
C:N型势垒区
D:P型势垒区
答案: P型中性区

5、 为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机构兼有的范围，原因是雪崩击穿具有（ ）而齐纳击穿具有与之相反的特性。

A:可逆
B:负温度系数
C:正温度系数
D: 不可逆
答案: 正温度系数

6、 PN结的空间电荷区的电荷有（ ）。

A:施主离子
B:电子
C:受主离子
D:空穴
答案: 施主离子;
受主离子

7、 PN结中有很多参数或性能都由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的，下面（ ）就是这样的。

A:空间电荷区宽度
B:势垒电容
C:反向饱和电流
D:反向恢复过程
答案: 空间电荷区宽度;
势垒电容;
反向饱和电流;
反向恢复过程

8、 正向偏置的PN结，在靠近耗尽层边界的中性区内的少子具有（ ）特点。

A:浓度高于平衡态少子浓度
B:一边扩散一边复合

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